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纯洁半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。
当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做集中运动；在半导体存在外加电压状况下，载流子将做漂移运动。其运动速度正比于电场，比例系数称为迁移率。
inopo=n2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量转变时，乘积nopo转变否？不变；当温度变化时，nopo转变否？转变。
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非平衡载流子通过复合效应而消逝，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置亲热相关。
0迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的
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