半导体知识：扩散工艺基础知识讲解.docx

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半导体学问：集中工艺根底学问讲解

集中技术目的在于掌握半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发

展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的消灭，集中工艺在制备浅结、低浓度掺杂和掌握精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。

集中机构

替位式集中机构

这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差异不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳动前进集中，杂质原子集中时占据晶格格点的正常位置，不转变原来硅材料的晶体构造。硼、磷、砷等是此种方式。

填隙式集中机构

这种杂质原子大小与Si原子大小差异较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从