半导体器件物理试卷及答案2套.docx

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料，不作为权威性指导和指引，仅供参考

1、本文档共10页，其中可免费阅读4页，需付费120金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

《半导体器件物理》试卷〔一〕一、填空〔共32分，每空2分〕

1、PN结电容可分为和两种，它们之间的主要区分。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对

VT的影响为，对于窄沟道器件对VT的影响为。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受电压掌握，其基极电流IB受电压掌握。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是。

5、PN结击穿的机制主要有等几种，其中发生雪崩击穿的条件为。

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的缘由有，和。

二