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半导体物理第五章习题答案
第5章非平衡载流子
一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3,空穴寿命为100?s,计算空穴的复合率。
解:复合率为单位时间单位体积内因复合而消逝的电子-空穴对数,因此
?
U? 0
1013
? ? ?1017
? ? ?
? 100?10?6
用强光照耀n型样品,假定光被均匀吸取,产生额外载流子,产生率为gp,空穴寿命为?,请
①写出光照开头阶段额外载流子密度随时间变化所满足的方程;
②求出光照下到达稳定状态时的额外载流子密度。
解:⑴光照下,额外载流子密度?n=?p,其值在光照的开头阶段随时间的变化打算于产生和复合两种
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