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南昌大学材料科学基础复习题及部分答案-2012

单项选择题：

第1章原子结构与键合

高分子材料中的C-H化学键属于。

（A）氢键 （B）离子键 （C）共价键

属于物理键的是。

（A）共价键 （B）范德华力 （C）离子键

化学键中通过共用电子对形成的是。

（A）共价键 （B）离子键 （C）金属键

第2章固体结构

以下不具有多晶型性的金属是。

（A）铜 （B）锰 （C）铁

fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是。

（A）fcc （B）bcc （C）hcp

与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。

（A）氮 （B）碳 （C）硼

面心立方晶体的孪晶面是。

（A）{112} （B）{110} （C）{111}

以下属于正常价化合物的是。

（A）Mg2Pb （B）Cu5Sn （C）Fe3

第3章晶体缺陷

在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。

（A）肖特基缺陷 （B）弗仑克尔缺陷 （C）线缺陷

原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。

（A）肖脱基缺陷 （B）Frank缺陷 （C）堆垛层错

刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？

（A）垂直 （B）平行 （C）交叉

能进行攀移的位错必然是。

（A）刃型位错 （B）螺型位错 （C）混合位错

以下材料中既存在晶界、又存在相界的是

（A）孪晶铜 （B）中碳钢 （C）亚共晶铝硅合金

大角度晶界具有____________个自由度。

（A）3 （B）4 （C）5

第4章固体中原子及分子的运动

菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随变化。

（A）距离 （B）时间 （C）温度

在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。

（A）原子互换机制 （B）间隙机制 （C）空位机制

固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是

（A）间隙机制 （B）空位机制 （C）交换机制

原子扩散的驱动力是。（4.2非授课内容）

（A）组元的浓度梯度 （B）组元的化学势梯度 （C）温度梯度

A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则。

（A）A组元的扩散速率大于B组元

（B）B组元的扩散速率大于A组元

（C）A、B两组元的扩散速率相同

下述有关自扩散的描述中正确的为。

（A）自扩散系数由浓度梯度引起

（B）自扩散又称为化学扩散

（C）自扩散系数随温度升高而增加

第5章材料的形变和再结晶

在弹性极限?e范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为

（A）包申格效应 （B）弹性后效 （C）弹性滞后

塑性变形产生的滑移面和滑移方向是

（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向

（B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向

（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向

bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。

（A）bcc （B）fcc （C）hcp

，位错滑移的派-纳力越小。

（A）位错宽度越大 （B）滑移方向上的原子间距越大 （C）相邻位错的距离越大

Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：

（A）溶质原子再扩散到位错周围（B）位错增殖的结果（C）位错密度降低的结果

已知Cu的Tm=1083?C，则Cu的最低再结晶温度约为

（A）200?C （B）

已知Fe的Tm=1538?C，则Fe的最低再结晶温度约为

（A）350?C （B）450

位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。

（A）回复 （B）再结晶 （C）晶粒长大

形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在。

（A）回复阶段 （B）再结晶阶段 （C）晶粒长大阶段

形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。

（A）点缺陷的明显下