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半导体硅单晶试验报告
汇报人：宋丁
一、试验目的：
将JRDL—900软轴单晶炉热系统改造后，分别拉制出4寸晶向为100和111
的半导体单晶硅。二、试验原理：
1、直拉单晶的生长，其核心是用具有特定晶向的籽晶，在系统满足热力学条件下〔必需有肯定的过冷度〕，原子会以自己为核心，在其外表进展原子排布，依据其特定晶向进展生长。存在晶体生长过程中需要避开生长系统〔石墨热场〕中不期望有的非自发形核，例
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