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TFT-LCD

制作工艺流程

12级信息显示吴炜璐阵列工艺

本工艺负责完成阵列基板的生产，包括玻璃基板清洗、PECVD、溅射、光刻、刻蚀、剥离等工序。

阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触通孔、像素电极经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻工艺并经湿法刻蚀、干法刻蚀后，剥离掉多余的光刻胶，再经热处理把半导体特性作均一化处理后即做成阵列玻璃基板。

溅射理论模型：动量原理，也称为级联碰撞原理。入射离子在进入靶材的过程中与靶材原子发生弹性碰撞，入射离子的一部分动能会传递给靶材原子，当后者的动能超过由其周围存在的其他靶材原子所形成的势垒时，这种原子会从晶格阵点被碰出产生离体原子，并进一步和附近的靶材原子依次反复碰撞，产生所谓的级连碰撞。当这种级连碰撞到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能超过表面结合能，这些表面原子就会逸出靶材，成为溅射粒子。

气相沉积技术：利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按照成膜机理，可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。

化学气相淀积（CVD），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。

物理气相沉积（PVD），物理气相沉积是通过蒸发，电离或溅射等过程，产生金属粒子并与反应气体反应形成化合物沉积在工件表面。物理气象沉积方法有真空镀，真空溅射和离子镀三种，目前应用较广的是离子镀。

光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。

湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

其特点是：

湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀

优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低

缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液。

干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。

其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。

缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。

干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀，等离子刻蚀（PlasmaEtching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

彩膜工艺

彩色滤光片（CF）工艺流程

彩色滤光片（ColourFilter）的结构包含玻璃基板、黑色矩阵、彩色层、保护膜及ITO导电膜，此光电组件是在透明玻璃基板上制作防反射的遮光层-黑色矩阵（Blackmatrix），洗净后再进行光阻的涂布，先涂布红色彩色光阻后，经曝光、显影、烘烤，形成红色滤光层，再依序制作形成具有透光性红、绿、蓝三原色的彩色滤光膜层，然后溅射镀上透明的ITO导电膜，最后进行PS层。

彩膜工艺流程图解

成盒工艺

本工艺负责制屏工序，包括从PI涂敷、固化、液晶注入（ODF）、紫外固化、切割、磨边、测试等各工序的生产。

成盒过程是将阵列基板（阵列工程自制）和彩色滤光片（自制或外购）经清洗，表面涂敷取向膜、经固化处理，在阵列基板涂布封框胶及进行液晶散布，两基板在真空中粘合、固化，即成盒。再根据下游厂家的需求进行盒分割，再贴上偏光片，加入电信号作图像检查后即成为LCD面板（Panel）。

模组工艺

本工艺为模组的生产，包括TCP焊接、PCB焊接、焊接检查、返修、老化、自动包装等工序。

模组过程是把LCD面板与外部驱动芯片和信号