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不同晶圆清洗技术的介绍与分析比较

晶圆外表湿式清洗技术

半导体晶圆对微污染物的存在格外敏感，为了达成晶圆外表无污染物的目标，必需移除外表的污染物并避开在制程前让污染物重剩余在晶圆外表。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过屡次的外表清洗步骤，以去除外表附着的金属离子、原子、有机物及微粒。

目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为主流。所谓湿式化学清洗(wetchemicalcleaning)技术，是以液状酸碱溶剂与去离子水之混合物清洗晶圆外表，随后加以润湿再枯燥的程序。

湿式化学清洗

在清洗程序上，去除有机物为第一步骤，由于有机物会让外表形成疏水性，造成水溶液的清洗效果