GB/T 13539.4-2016低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf

ICS29.120.50

K31

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT13539.42016IEC60269-42012

代替/—

GBT13539.42009

低压熔断器

:

第部分半导体设备保护用熔断体

4

的补充要求

—

Low-voltaefuses

g

:

Part4Sulementarreuirementsforfuse-linksfortherotectionof

ppyqp

semiconductordevices

(:,)

IEC60269-42012IDT

2016-04-25发布2016-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—/:

GBT13539.42016IEC60269-42012

目次

前言…………………………Ⅰ

1总则………………………1

2术语和定义………………2

3正常工作条件……………2

4分类………………………4

5熔断器特性………………4

6标志………………………7

7设计的标准条件…………………………8

8试验………………………8

()……………

附录资料性附录熔断体和半导体设备的配合导则

AA18

()()

附录规范性附录制造厂应在产品使用说明书样本中列出的半导体设备保护用熔断体

BB

的资料…………………