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纳米加工平台工艺申请表(8月版)
批号:
申请人
申请人电话
申请人邮箱
申请人签字
付费人
课题编号
付费人邮箱
付费人签字
申请日期
所属单位
试验目标及说明
样品材料
样品尺寸
样品数量和编号
序号
工艺名称
工艺要求及说明
日期
工艺统计和检测结果
工艺员
计价和确定
备注
清洗
样品数量:2片;
需清洗材料:氮化铝,尺寸:4英寸;
预去除污染物:
清洗液:
使用设备:八槽清洗机/超声清洗机/手动容器
废液处理方法:
设备类型:
开始时间:
完成时间:
废液处理方法:
检测结果:
本步工艺程序确定:
合格(签字):
不合格(签字):
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
匀胶
KS-L150
ST22+
KW-4A
加工数量:3片;
衬底:材料:硅片,尺寸:4英寸、6英寸;
光刻胶类型:AZ1500;厚度:1.2±0.4微米
HDMS预处理:需要;
使用匀胶机类型:SSE、国产小匀胶机、Track
匀胶机类型:
开始时间:
完成时间:
衬底尺寸:
匀胶次数:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
光刻
MA6/BA6
URE-/35
加工数量:3片;
衬底材料/尺寸/厚度:硅片/4英寸/525微米;
光刻胶类型/厚度:AZ1500/1-1.6微米;
光刻最小线宽:2微米;
套刻要求:正反面对准,对准精度:±5微米;
使用光刻机类型:SussMA6/BA6,国产光刻机
光刻机类型:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
步进式光刻机
NSR1755i7B
加工数量:3片;
衬底材料/尺寸/厚度:硅片/4英寸/525微米;
光刻胶类型/厚度:EPL/1-1.6微米;
光刻最小线宽:2微米;
套刻精度:±1微米;
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
电子束光刻
JBX-5500ZA
加工数量:1片;
衬底材料/尺寸/厚度:硅片/4英寸/525微米;
光刻胶类型/厚度:AZ1500/1-1.6微米;
光刻最小线宽:30nm;
套刻要求:套刻误差小于40nm;
拼接要求:误差小于40nm
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
显影
OPTIspinST22
加工数量:3片;
衬底:材料:硅片,尺寸:4英寸;
显影液类型:标配TMAH;
使用显影机类型:SSE,Track
显影机类型:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
干法去胶
M4L
加工数量:3片;批次:1批
材料:硅片,尺寸:4英寸或碎片;
需去除光刻胶类型:AZ1500
需去除胶厚:50nm;
去胶功率:300W
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
喷胶
ST20i
加工数量:3片;
衬底材料:硅片,尺寸:4英寸;
光刻胶类型:AZ4620;目标胶厚:30微米
图形深宽比:1:2
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
晶片键合
CB6L
加工数量:3对;
材料:硅片和玻璃尺寸:4英寸;
键合类型:阳极键合;
是否需要套刻:是(套刻精度:5微米)
键合对数:单次键适用时:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
磁控溅射
LAB18
加工数量:3片;批次:1批
衬底材料:硅片,尺寸:2英寸
膜层材料/厚度:
Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求:±5%
衬底加热温度:200℃
工艺气体:Ar或N2
溅射批数:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
溅射各层材料/厚度:
检测结果:
本步工艺计价:
¥
工艺责任人确定:
工艺申请人确定:
电子束蒸发
ei-5z
EBE-09
加工数量:3片;批次:1批
衬底材料:硅片,尺寸:6英寸
膜层材料和厚度:
Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求:±5%
衬底温度:200℃
蒸发台类型:ei-5z,EBE-09
使用蒸发台:蒸镀批数:
开始时间:
完成时间:
本工艺总用时:
蒸镀各层材料/厚度:
检测结果:
本
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