(高清版)B/T 43885-2024 碳化硅外延片.pdfVIP

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报告题目碳化硅外延片的技术要求与生产流程概述中国国家市场监督管理总局和国家标准化管理委员会发布的指南,针对碳化硅外延片进行了一系列的技术要求与生产流程技术要求CSicarbideepitaxialwafer厚度小于或等于25um,具有高耐磨性和耐高温性能制备过程中,需确保硅的质量符合GBT28281—2012计数抽样检验程序第1部分的要求高温环境下的硅的熔融速度应达到50℃以上,且保持一致产品的尺寸和重量均符合GBT11—2020《

ICS29.045

CCSH83

中华人民共和国国家标准

GB/T43885—2024

碳化硅外延片

Siliconcarbideepitaxialwafers

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

GB/T43885—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位:南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有

限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、TCL环鑫半导体

(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶

体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限

公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安

半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限

公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术

研究院有限公司、连科半导体有限公司。

本文件主要起草人:李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗静、冯淦、杨玉聪、

王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、

汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍。

I

GB/T43885—2024

碳化硅外延片

1范围

本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、

随行文件和订货单内容。

本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力

电子器件。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文

件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于

本文件。

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样

计划

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T14146硅外延层载流子浓度测定电容-电压法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T30656碳化硅单晶抛光片

GB/T32278碳化硅单晶片平整度测试方法

GB/T39145硅片表面金属元素含

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