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ICS29.045
CCSH83
中华人民共和国国家标准
GB/TXXXXX—XXXX
碳化硅外延片
Siliconcarbideepitaxialwafers
预审稿
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
GB/TXXXXX—XXXX
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）和全国半导体设备和材料标准化
技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。
本文件起草单位：南京国盛电子有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司。。。
本文件主要起草人：……
I
GB/TXXXXX—XXXX
碳化硅外延片
1范围
本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮
存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于碳化硅电子电力器
件制作。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T14146硅外延层载流子浓度测定电容-电压法
GB/T14264半导体材料术语
GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T30656碳化硅单晶抛光片
GB/T30867碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
GB/T32278碳化硅单晶片平整度测试方法
GB/T39145硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
GB/TXXXXX碳化硅外延片表面缺陷的测试显微可见光法（计划号T-469）
GB/TXXXXX碳化硅外延层厚度的测试红外反射法（计划号T-469）
GB/TXXXXX碳化硅晶体材料缺陷图谱（计划号T-469）
GB/TXXXXX碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法
YS/T28硅片包装
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4产品分类
4.1碳化硅外延片按外延层导电类型分为n型和p型。
4.2碳化硅外延片按直径尺寸分为76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm。
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GB/TXXXXX—XXXX
4.3碳化硅外延
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