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原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

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    本申请涉及原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法，方法包括如下步骤：在衬底上生长外延层，制得ε‑Ga2O3异质结；在ε‑Ga2O3异质结上原位外延生长钝化层，制得钝化后的ε‑Ga2O3异质结；在钝化后的ε‑Ga2O3异质结沉积三个电极，制得高电子迁移率晶体管器件。本申请提供的原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法，基于极性ε‑Ga2O3异质结体系，提出一种源漏再生长无掩膜的技术方案，制备的晶体管器件结构简单、源漏金属边缘整齐，极化沟道的限域性和迁移率更佳，经验证具有高耐压、高

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790307A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202311745931.X

    (22)申请日2023.12.18

    (71)申请人湖北九峰山实验室

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