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一种半导体器件以及形成半导体器件的方法,该方法包括:在衬底中形成沟槽;在沟槽中设置隔离氧化物层,在沟槽中设置屏蔽多晶硅,使得屏蔽多晶硅部分地被隔离氧化物层包围;蚀刻隔离氧化物层;在屏蔽多晶硅的上表面上设置多晶硅间氧化物IPO层,使得IPO层在沟槽中被隔离氧化物层横向包围;蚀刻IPO层和隔离氧化物层;在沟槽的至少上侧壁处用栅极氧化物层形成衬里;在IPO层的上表面和隔离氧化物层的上表面上设置栅极多晶硅,使得栅极多晶硅被栅极氧化物层横向包围;其中执行蚀刻隔离氧化物层的步骤,使得隔离氧化层的厚度从屏蔽多
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790310A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311249283.9
(22)申请日2023.09.26
(30)优先权数据
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