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一种SPAD器件结构及SPAD探测器。本申请通过一种SPAD器件结构,其特征在于,包括:P型衬底层、P型深阱区、有效吸收区、耗尽区、雪崩区、P阱区、PPLUS区、以及P型阻挡层;所述P型衬底层处于最下方,所述P型深阱区位于所述P型衬底层上方;所述有效吸收区位于所述P型深阱区上方;所述耗尽区位于所述有效吸收区上方;所述雪崩区位于所述耗尽区上方;所述P阱区位于所述SPAD器件两侧;所述PPLUS区位于所述阱区内;所述P型阻挡层位于所述有效吸收区上方,并位于所述耗尽区两侧。这样,可以阻止光生电子绕过雪
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790605A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202211157135.X
(22)申请日2022.09.22
(71)申请人宁波飞芯电子科技有限公司
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