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一种KDP类晶体溶液交替流生长方法,采用溶液交替地反方向流过柱面,形成“可逆”剪切流,实现快速、高质量的KDP类晶体生长。该方法避免了传统转晶法、二维、三维晶体平动法难以避免的棱边处边界层分离所形成的低过饱和度区域,溶液交替喷射而形成的“可逆”剪切流,更有利于晶面形貌的稳定,从而提高生长晶体的质量;交替射流对流强度较强,能有效减薄晶面溶质边界层厚度,实现快速生长。该方法为KDP类晶体的快速高质量生长提供了可能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113604882A
(43)申请公布日2021.11.05
(21)申请号202110716799.4
(22)申请日2021.06.28
(71)申请人重庆大学
地址40
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