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本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法,半导体功率器件包括:位于漂移层中间隔设置的若干主阱区;位于主阱区中的源区;主阱区的顶部区域中具有沟道区,沟道区与源区的侧壁邻接;位于相邻的主阱区之间的漂移层中的辅助阱区和JFET区,辅助阱区与主阱区间隔,JFET区与沟道区背离所述源区的侧壁接触,JFET区的导电类型和主阱区的导电类型相反;JFET区包括位于辅助阱区和主阱区之间的第一JFET区;第一JFET区具有相对的第一侧壁和第二侧壁,第一侧壁与主阱区的侧壁接触,第二侧壁与辅助阱区的侧壁接触;第一侧壁和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790571A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311772118.1
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人清纯半导体(宁波)有限公司
地址
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