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描述了具有由栅极切口限定的鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中,集成电路结构包括位于第一子鳍状物之上的水平纳米线的竖直堆叠体。栅极结构位于水平纳米线的竖直堆叠体之上并且位于第一子鳍状物上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不位于沟道结构之上,而位于第二子鳍状物上。栅极切口位于栅极结构与电介质结构之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790503A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311062260.7
(22)申请日2023.08.22
(30)优先权数据
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