三极管雪崩窄脉冲电路设计知识讲解 .pdf

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三极管雪崩窄脉冲电路设计

窄脉冲发射机主要是产生经过调制后的窄脉冲并将信号从天线发射出去，其中关

键的是如何产生需要的窄脉冲信号，本文在参考探地雷达脉冲和IR-UWB产生的基

础上，根据现有的和实际的情况，选择了适合的发射电路。

§1.1雪崩三极管窄脉冲产生原理

雪崩晶体三极管是可以用来产生比较高速、大功率窄脉冲的器件，它价格便宜、

使用方便，因此得到广泛运用。

I雪崩击

C

穿区

I0I0

B

B

饱和区

二次击穿

I0

BI0

截止区E

0BVBVV

CEOCBOCE

图1.1共发射极输出特性曲线

从图1.1中可以看出，按照晶体管的工作情况，可以把共发射极接法的输出特性

曲线分为四个区域：截止区、放大区、饱和区和击穿区。

当发射结反向运用，集电结也反向运用时，晶体管处于截止区。

当发射结正向运用，集电结反向运用时，晶体管处于放大区。

当发射结和集电结都处于正向运用状态时，晶体管处于饱和区。

V

在放大区工作时，如果将集电极和发射极间的电压增加到一定程度，就会使

CE

I

集电结发生雪崩击穿，雪崩击穿电压较高，一般6伏，击穿后集电极电流急剧上

C

升。下面分析晶体三极管发生雪崩效应的过程。

集电结反向偏压很大，集电结空间电荷区内电场强度达到发生雪崩倍增效应时，

电流通过集电结空间电荷区，由于雪崩倍增，电流增大，因此引进倍增因子为电

M

流增大的倍速，定义为雪崩区内集电结电流与基结电流的比值，数值上等效于雪

M



崩区域内电流放大系数与正常工作区域内电流放大系数的比值。

0

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