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本申请涉及一种片上缓存结构、AI芯片以及电子设备,属于电子电路领域。该片上缓存结构包括:N个L1高速缓存组、L2高速缓存组、N个L1.5高速缓存;N个L1高速缓存组,每个L1高速缓存组包含至少2个L1高速缓存,N为大于等于1的整数;每个L1.5高速缓存被配置为与一个L1高速缓存组通过交叉网络结构连接,所述N个L1.5高速缓存被配置为通过片上网络结构与L2高速缓存组连接,其中,每个L2高速缓存组包含至少一个L2高速缓存。本申请能够在实现数据计算所需要的大带宽的同时,又解决了全crossbar结构带
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117762859A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311578412.9
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人上海天数算力电子科技有限公司
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