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电子科技大学集成电路试验报告――模拟集成电路

CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用试验学时：4学时

试验一CMOS工艺参数测量一、试验目的：

学习和把握EDA仿真软件Hspice；了解CMOS工艺技术及元器件模型，把握MOSFET工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn,p,n,Vtp,Vtn，为后续试验作预备。

二、试验内容：

通过Hspice仿真，观看NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线；

对于给定长宽的MOSFET，通过Hspice仿真，测得几组栅-源电压、漏-