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本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种Flash良率改良方法、编程方法及相关设备,其中,Flash良率改良方法包括步骤:在晶圆测试阶段的测试模式下,对芯片进行全片编程,以获取异常页;基于异常页建立坏页表,以使NANDFlash在执行编程操作时跳过坏页表内的异常页进行编程;在晶圆测试阶段的测试模式下,基于擦除操作对芯片进行冗余替换处理;该Flash良率改良方法基于冗余替换处理替换掉擦除错误单元,基于编程错误单元建立坏页表以使NANDFlash在实际使用过程中能跳过对坏页表中异常页执行的页编
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117743204A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311846313.4
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人芯天下技术股份有限公司
地址5
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