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本发明公开了一种磁传感器动态温度补偿方法、设备及介质,采用动态的温度补偿方法,通过温漂曲线确定温度点,该温度点可以采用后期烧录的方式写入,从而克服了由于固定温度点所带来的问题,相较于传统的插值温度补偿方法而言,进一步提升了补偿精度,实现了较高精度的补偿效果,同时节省了设计成本;同时,保证芯片可以适应不同工艺节点甚至不同工艺厂家的霍尔器件。本发明最大限度地提高补偿精度,使得磁传感器的温漂性能得到极大的优化,解决了现有的温度补偿方法精度低、不灵活的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117741540A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311833962.0
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人成都芯进电子有限公司
地址61
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