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一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构及其生成方法.pdfVIP

一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构及其生成方法.pdf

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    本发明公开一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构及其生成方法，包括底层氮化硅层、中间氮化硅层以及顶层氮化硅层，底层氮化硅层位于氧化铝层远离太阳能电池基底的一侧，中间氮化硅层位于所述底层氮化硅层远离氧化铝层的一侧，顶层氮化硅层位于所述中间氮化硅层远离所述底层氮化硅层的一侧，该种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构以及生成方法，替代传统的太阳能电池背膜氮化硅镀层的方式，避免了氮化硅镀层之间缺乏多样性，钝化效果一般，影响太阳能电池转化效率的问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117747677A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202311751072.5

    (22)申请日2023.12.19

    (71)申请人滁州亿晶光电科技有限公司

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