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一种常开型高电子迁移率晶体管结构及其制造方法.pdfVIP

一种常开型高电子迁移率晶体管结构及其制造方法.pdf

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    本发明属于半导体技术领域，特指一种常开型垂直结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层、源极电极和栅极电极，特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道，可以获得更低的导通电阻。还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111863958A

    (43)申请公布日2020.10.30

    (21)申请号202010518625.2

    (22)申请日2020.06.09

    (71)申请人江苏大学

    地址21

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