数集全套课件.pptx

数字集成电路-电;本书的内容;数字集成电路;简介;第一台计算机;ENIAC–第一台电子计算;晶体管革命;第一个集成电路;Intel4004微处理器;IntelPentium(;摩尔定律;摩尔定律;复杂性革命;晶体管数量;摩尔法则在微处理器上的应用;尺寸增长;频率;功耗;功耗将会成为首要问题;功耗密度;生产趋势;为什么要缩小尺寸?;设计中的抽象层次;设计要求;集成电路的成本;固定成本在增加;固定成本;单个晶体管成本;成品率;缺陷;一些例子(1994);1.3.2功能性和稳定性;数字集成电路中的噪声;串扰噪声;电压传输特性;逻辑电平映射至电压范围;噪声容限;再生性条件;再生性条件;扇入与扇出;理想传输门;老式反相器;传播延时;环振;一阶RC网络;功耗;能量and能量延时;2.2制造工艺概述CMOS;现代CMOS工艺过程;设计电路;版图;光刻过程;形成SiO2图形的工艺步骤;双阱CMOS工艺中制造NMOS;双阱CMOS工艺中制造NMOS;双阱CMOS工艺中制造NMOS;双阱CMOS工艺中制造NMOS;高级镀金属法;高级镀金属法;2.3设计规则;3D透视图;设计规则;CMOSProcessLa;Layersin0.25;Intra-Layer设计规则;晶体管版图;通孔和接触孔;选择层;CMOS反相器版图;版图编辑器;设计规则检查;棍棒图;2.4封装;封装要求;压焊技术;载带自动压焊（TAB）;倒装焊;印刷版安装方法;封装类型;封装参数;二极管;耗尽层;二极管电流特性;正向偏置;反向偏置;手工分析模型;结电容;扩散电容;二次效应;二极管SPICE模型;SPICE参数;什么是晶体管？;MOS晶体管;MOS晶体管-类型和特;阈值电压:概念;阈值电压;体偏置影响;I-V特性;线性区下的晶体管;饱和区下晶体管;电流-电压关系长沟道器件;手工分析模型;电流-电压关系深亚微米级;速度饱和;结论;ID、VGS关系;ID、VGS关系;手工分析的标准模型;MOS管简单SPICE模型;PMOS晶体管;用于手工分析的晶体管模型;开关模型晶体管;开关模型晶体管;开关模型晶体管;MOS动态电容特性;MOS晶体管动态特性;沟道电容;沟道电容;沟道电容;测量沟道尺寸;扩散电容;结电容;线性化结电容;0.25mmCMOS电容;深亚微米级MOS晶体管;阈值变化;Sub-ThresholdC;Sub-ThresholdI;Sub-ThresholdI;MOSFET工作区域小结;寄生电阻;闩锁效应;导线;片上互连影响;导线模型;互连寄生效应的影响;互连特性;互连;互连电容;电容:平行板模型;介电常数;边缘场电容;平行板的边缘效应;电容耦合;电容耦合的影响;导线电容(0.25mmC;互连;互连电阻;互连电阻;DealingwithRe;硅化物多晶栅MOSFET;薄层电阻;现代互连;例:Intel0.25m;互连;PowerPoint演示文稿;集总模型;分布RC模型Elmore延;Ellmore延时RC链;导线模型;分布rc线;RC导线的阶跃响应与时间及位置;RC模型;计算VIHandVIL;反相器增益;VDD产生的增益;VTC模拟;器件参数变化的影响;传播延时;CMOS反相器传播延时1阶;CMOS反相器传播延时2阶;CMOS反相器;瞬态响应;功能设计;VDD对延时的影响;器件尺寸;NMOS/PMOS尺寸系数;上升时间对延时的影响;反相器尺寸;反相器链;反响器延时;带负载的反相器;带负载的反相器;延时公式;反相器链的应用;最佳给定尖端N值;最佳延时;例;最佳阶段数量;最佳有效扇出f;自载对tp的影响;不同驱动器结构与F的关系;缓冲器设计;功耗;CMOS的功耗产生来源?;动态功耗;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;最小能量的晶体管尺寸;晶体管尺寸(2);晶体管尺寸(3);PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;减小功耗的方法;工艺尺寸缩小的影;工艺尺寸缩小的目的;工艺尺寸缩小;TechnologyGene;技术革命(2000data;技术革命(1999);ITRS工艺尺寸路标继续;工艺尺寸缩小(1);工艺尺寸缩小(2);工艺尺寸缩小(3);工艺尺寸缩小(4);工艺尺寸缩小模型;長溝器件的尺寸縮小情況;晶体管缩小比例