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本发明公开了一种光子晶体结构的制作方法及光子晶体结构，制作方法包括提供基底，在基底表面形成含Al元素的第一外延层；在含Al元素的第一外延层表面形成第二外延层；在第二外延层和含Al元素的第一外延层上形成周期性分布的孔结构，孔结构至少深入含Al元素的第一外延层内；以第二外延层为掩膜，对孔结构内的含Al元素的第一外延层进行氧化；外延生长第三外延层，第三外延层填充和/或覆盖孔结构。本发明的光子晶体结构的制作方法及光子晶体结构，采用以第二外延层作为掩膜，对含Al元素的第一外延层进行氧化形成含Al氧化物层的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712824A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311772450.8
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人中科纳米张家港化合物半导体研究
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