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本发明涉及半导体器件技术领域，具体说是一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法。它包括半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中至少有一个深沟槽作为SGTIGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其特点是，元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连，浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、反馈电容的调节，也实现沟道密度的调节。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712156A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311772446.1
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人江苏易矽科技有限公司
地址21
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