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本发明公开了一种硅柱阵列、刻蚀方法和应用,在硅衬底片表面设置基于硅柱图形的二氧化硅硬掩膜;利用二氧化硅硬掩膜掩蔽,对硅衬底片进行单次硅刻蚀,单次硅刻蚀过程持续至刻蚀深度达到要求,硅衬底片表面形成硅柱;单次硅刻蚀的工艺参数为:刻蚀气体为SF6,钝化气体为O2和Hbr,刻蚀压力为55~65W,偏置功率为45W~55W,偏置功率频率为110Hz~130Hz;偏置功率循环为75%~85%,源射频功率为1000W~1300W;剥离二氧化硅硬掩膜,完成硅柱阵列刻蚀。可使硅柱侧壁的漫反射变为镜面反射,提高薄膜
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712200A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311705250.0
(22)申请日2023.12.12
(71)申请人西安微电子技术研
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