模拟电路课件04模拟电子技术第四章_场效应晶体管.pdfVIP

模拟电路课件04模拟电子技术第四章_场效应晶体管.pdf

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4.1结型场效应晶体管

4.2MOS场效应晶体管

1

2007年10月15日星期一

4场效应管

BJT是一种电流控制元件(i~i),工作时,多数载流

BC

子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。

场效应管(FieldEffectTransistor简称FET)是一

种电压控制器件(u~i),工作时,只有一种载流子参

GSD

与导电,因此它是单极型器件。

FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输

入电阻极高等优点,得到了广泛应用。

N沟道

结型场效应管

P沟道

FET分类增强型N沟道

P沟道

绝缘栅场效应管

耗尽型N沟道

2007年10月15日星期一P沟道2

4.1JFET

结构与符号

工作原理与特性曲线

主要参数

JFET的模型

3

2007年10月15日星期一

一、结构与符号

JFET分为:

N沟道

P沟道

箭头:PN

4

2007年10月15日星期一

二、工作原理与特性曲线N沟道

工作原理

1.V控制沟道宽窄

GS

0V

V=V(夹断电压)

GSP

-窄

PN结反偏

0

电位梯度

2.V控制沟道形状楔形沟道

DS

预夹断

+

5

2007年10月15日星期一

P沟道JFET

VDS很小,VGSVPVDS很小

PN结处于反偏,VGS=VP

耗尽区将因加栅压而被展宽

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