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半导体二极管练习题1

一、单选题(每题1分)

用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。

直流，相同，相同 B.交流，相同，相同

C.直流，不同，不同 D.交流，不同，不同

杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。

少子 B.多子 C.杂质离子 D.空穴

PN结形成后，空间电荷区由（ ）构成。

A.电子和空穴 B.施主离子和受主离子

C.施主离子和电子 D.受主离子和空穴

硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。

A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V

在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。

小于，大于 B.大于，小于 C.大于，大于 D.小于，小于

杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶体缺陷

当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。

左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D.右移，下移

设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（ ）。

A. I

eU B. I

eUUT C. I

(eUUT－1) D. I

eUUT－1

S S S S

下列符号中表示发光二极管的为（ ）。

A B C D

在25oC时，某二极管的死区电压U≈0.5V，反向饱和电流I≈0.1pA，则在35oC

th S

时，下列哪组数据可能正确：（ ）。

A U≈0.525V，I≈0.05pA B U≈0.525V，I≈0.2pA

th S th S

C U≈0.475V，I≈0.05pA D U≈0.475V，I≈0.2pA

th S th S

稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A.ID=0 B.IDIZ且IDIZM C.IZIDIZM D.IZIDIZM

从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。

A.0 B.死区电压 C.反向击穿电压 D.正向压降

二、判断题(每题1分)

因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）

PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（ ）

F二极管在工作电流大于最大整流电流I

F

时会损坏。（ ）

二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。（ ）

二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。（ ）

三、填空题(每题1分)

二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。

温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。

普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。

硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。

本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。

PN结正偏是指P区电位 N区电位。

纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。

二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。

发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。

PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。

发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。

在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。

半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的。

构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。

PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。

二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。

光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。

当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。

在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。

半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。

四、计算分析题(每题3分)

电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号

i可视为短路；u为正弦波，有效值为10mV，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？

i

C