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HBM3E量产在即,关注国产HBM突破和产业链受益
[Table_ReportDate]
2024年03月10日
证券研究报告[Table_Title]
HBM3E量产在即,关注国产HBM突破和产业链受益
行业研究[Table_ReportDate]2024年03月10日
本期内容提要:
[Table_ReportType]
行业专题研究(普通)[Table_Summary]
[Table_Summary]
➢海外大厂HBM3E量产在即。(1)近日,美光宣布已开始量产其
HBM3E高带宽内存解决方案。英伟达H200TensorCoreGPU将采
[Table_StockAndRank]
半导体用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存,并于2024年第二季度
投资评级看好开始出货。美光HBM3E引脚速率超过9.2Gb/s,提供超过1.2TB/s
上次评级看好的内存带宽。与HBM3相比,HBM3E将数据传输速率和峰值内存带
宽提高了44%。(2)三星发布首款36GBHBM3E12HDRAM,目前
莫文宇[Table_Author]电子行业首席分析师
执业编号:S1500522090001为三星容量最大的HBM。三星HBM3E12H支持全天候最高带宽达
邮箱:mowenyu@1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3
8H,HBM3E12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM3
8H,HBM3E12H搭载于人工智能应用后,公司预计人工智能训练平
均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
(3)SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作,并顺利
完成英伟达历时半年的性能评估,计划于3月开始大规模生产
HBM3E产品,这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI
芯片旗舰产品B100上,而英伟达则计划于2024年第二季度末或第
三季度初推出该系列产品。
信达证券股份有限公司
CINDASECURITIESCO.,LTD➢国内存储厂商入局HBM市场。根据采招网,近日,武汉新芯发布
北京市西城区闹市口大街9号院1号楼《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目,利用三
邮编:100031维集成多晶圆堆叠技术,打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高
生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品,推进多晶圆堆叠工艺产
业化,新增生产设备约17台/套,拟实现月产出能力≥3000片(12英
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