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HBM3E量产在即，关注国产HBM突破和产业链受益

[Table_ReportDate]

2024年03月10日

证券研究报告[Table_Title]

HBM3E量产在即，关注国产HBM突破和产业链受益

行业研究[Table_ReportDate]2024年03月10日

本期内容提要:

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行业专题研究（普通）[Table_Summary]

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➢海外大厂HBM3E量产在即。（1）近日，美光宣布已开始量产其

HBM3E高带宽内存解决方案。英伟达H200TensorCoreGPU将采

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半导体用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并于2024年第二季度

投资评级看好开始出货。美光HBM3E引脚速率超过9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s

上次评级看好的内存带宽。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带

宽提高了44%。（2）三星发布首款36GBHBM3E12HDRAM，目前

莫文宇[Table_Author]电子行业首席分析师

执业编号：S1500522090001为三星容量最大的HBM。三星HBM3E12H支持全天候最高带宽达

邮箱：mowenyu@1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3

8H，HBM3E12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM3

8H，HBM3E12H搭载于人工智能应用后，公司预计人工智能训练平

均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。

（3）SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作，并顺利

完成英伟达历时半年的性能评估，计划于3月开始大规模生产

HBM3E产品，这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI

芯片旗舰产品B100上，而英伟达则计划于2024年第二季度末或第

三季度初推出该系列产品。

信达证券股份有限公司

CINDASECURITIESCO.,LTD➢国内存储厂商入局HBM市场。根据采招网，近日，武汉新芯发布

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生产效率的国产高带宽存储器（HBM）产品，推进多晶圆堆叠工艺产

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