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基于铌酸锂单晶薄膜的压电式能量采集器及制备方法.pdfVIP

基于铌酸锂单晶薄膜的压电式能量采集器及制备方法.pdf

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    本发明涉及基于铌酸锂单晶薄膜的压电式能量采集器及制备方法。该基于铌酸锂单晶薄膜的压电式能量采集器，包括Si基座，所述Si基座的表面设置有绝缘层，所述绝缘层的表面设置有下金属层，所述下金属层的表面设置有铌酸锂单晶薄膜，所述下金属层的表面设置有上金属层；所述绝缘层为二氧化硅薄膜层，或/和所述上金属层与下金属层均为Cr/Au金属层；所述Si基座的表面基于化学气象沉积法生长一层二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层的厚度为1.8～2.2μm；该基于铌酸锂单晶薄膜的压电式能量采集器及制备方法，旨在实现微振环境

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117693282A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202311557897.3H10N30/00(2023.01)

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