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一种高封装功率密度的GaN HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

一种高封装功率密度的GaN HEMT器件及其制备方法.pdf

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    一种高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片上对无源区和n个有源区之间进行离子注入，形成ISO隔离区；步骤S200，在外延片上去除G电极区域外部外延片上的P‑GaN层，并沉积第一隔离层；步骤S300，外延片上每个有源区内，在D电极区域制备D电极槽，在S电极区域制备S电极槽；步骤S400，在D电极槽内制备D电极，在S电极槽内制备S电极，有源区外制备与D、S电极互联的D、S电极pad金属并沉积第二隔离层；本发明可以在不影响器件栅控能力、

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637475A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311621865.5H01L29/423(2006.01)

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