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本公开涉及支持常规存储器存取模式和数字存储器内计算处理模式两者的存储器架构。电路的存储器阵列包括具有以行‑列矩阵布置的存储器单元的子阵列,其中每行包括字线并且每个子阵列的列包括局部位线。控制电路支持两种电路操作模式:第一模式,其中在存储器读期间仅致动存储器阵列中的一条字线;以及第二模式,其中在存储器读期间同时致动每个子阵列中的一条字线。用于每列的输入/输出电路包括到子阵列的局部位线的输入端、耦合到位线输入端的列数据输出端,以及耦合到每个位线输入端的子阵列数据输出端。在存储器中,根据存储在存储器中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117636949A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311102497.3G11C11/4093(2006.01)
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