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一种AL选择性扩散的二极管生产工艺。涉及半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤S100：N衬底选取；步骤S200：N衬底上生长氧化膜；步骤S300：一次单面选择性光刻；步骤S400：氧化膜去除；步骤S500：AL溅射；步骤S600：在溅射面贴一层具有粘性的蓝膜，在烘箱中烘烤；步骤S700：揭膜去除氧化膜上的AL；步骤S800：真空合金及base区表面金属去除。步骤S100中N衬底的选取根据产品的耐压需求，选择不同电阻率的N衬底硅片，一般为50‑100Ω。本发明既在短的扩散时间内实现了AL的选择性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117612936A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311582211.6
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人扬州杰利半导体有
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