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本发明提供了一种电磁干扰低的功率器件终端结构,所述终端结构包括:从下至上依次层叠设置的金属化漏极、第一导电类型半导体衬底和第一导电类型半导体外延层,以及第二导电类型半导体主结、第二导电类型半导体等位环、第一导电类型截止环、第二导电类型半导体场限环、第一介质层、第二介质层、第三介质层、导电场板和金属化源极。本发明能够在场限环和场板之间引入HK介质层,由半导体场限环、HK介质层和场板构成MIS电容结构,并与相邻的多晶硅场板串联,从而在源极和漏极高电位之间形成了RC吸收网络,能够有效抑制功率器件在快速
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111554677A
(43)申请公布日
2020.08.18
(21)申请号20201
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