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本发明公开了一种碳纳米管制备工艺,属于碳纳米管制备领域。一种碳纳米管制备工艺,将硅基片放入超声波清洗机中进行清洗;使用光刻机对清洗后的硅基片进行光刻处理;使用清洗装置对光刻后的硅基片进行清理;将清洗后的硅基片放入真空镀膜机中进行镀膜处理;清洗镀膜后硅片上的光刻胶和金属层;将清洗后硅片放入微波等离子增强化学气相沉积系统中,加热后析出碳纳米管;通过工艺中的清洗装置在硅片进行镀膜前进行清洗,能够有效的祛除硅基片上的氧化硅,同时还能清洗掉硅基片上可能存在的微颗粒,通过去除硅基片上的氧化硅和微颗粒,进而能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117600161A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311581729.8B08B5/02(2006.01)
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