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本文中描述了一种用于确定半导体制造时随时间的工艺漂移或异常值晶片的方法。该方法包括:获得表征半导体工艺随时间的性能的关键性能指标(KPI)变化(例如,LCDU)、以及与和半导体工艺相关联的因子集合相关联的数据。KPI和数据的模型被用来确定第一因子集合对KPI变化的贡献,第一因子集合突破统计阈值。从模型中去除来自第一因子集合对KPI变化的贡献,以获得残余KPI变化。基于残余KPI变化,确定突破残余阈值的残余值。残余值指示半导体工艺中随时间的工艺漂移或与特定时间处的残余值相对应的异常值衬底。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117616342A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202280047965.9(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所
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