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本发明属于半导体表面着色领域，涉及一种半导体晶体的镀色方法。选用纯度为99.8%的圆形钛靶，高纯Ar作为溅射放电气体、高纯N2或O2作为活性反应气体，用磁控溅射的方法，可以在半导体晶体上沉积出颜色丰富的TiN薄膜和TiO2/SiO2/TiO2复合介质膜，包括银白色、紫色、蓝色、绿色、黄色、橙色、紫红色及其中间色等；换色生产灵活性较强，镀层也坚硬致密，耐磨、耐腐蚀，与其他方法呈现的色彩相比，这类方法产生的颜色更加稳定持久鲜艳明亮，难以破坏。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117604469A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311530704.5
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人山东大学
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