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氧化物反熔丝存储单元及制备方法和氧化物反熔丝存储器.pdfVIP

氧化物反熔丝存储单元及制备方法和氧化物反熔丝存储器.pdf

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    氧化物反熔丝存储单元及制备方法和氧化物反熔丝存储器，涉及集成电路技术，特别涉及反熔丝存储器。本发明的氧化物反熔丝存储单元，包括设置于上极板和下极板之间的介质层，其特征在于，所述介质层的材质为氧化钛，所述上极板和下极板的材质皆为金属。本发明的介质层厚度可通过工艺精确控制，最薄可做到对应的编程电压约为3‑5V，便于被先进制程工艺集成。氧化钛薄膜制作工艺十分成熟，厚度偏差容易控制，本发明的反熔丝指标(编程电压、编程后的电阻)一致性很高。编程后电阻小，约为100欧。本发明的漏电流极低，具有高可靠的优点。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117596875A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202311780880.4

    (22)申请日2023.12.22

    (71)申请人成都蜀郡微电子有限公司

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