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本公开涉及一种使用FinFET架构的反熔丝。多种应用可包含具有一或多个反熔丝的设备,其中所述反熔丝使用FinFET架构的组件而被构造。反熔丝可包含栅极、多个源极/漏极区及一或多个鳍片,所述一或多个鳍片通过电介质与所述栅极分离且单独地连接到所述多个源极/漏极区中的选定者。所述一或多个鳍片连接到其相关联源极/漏极区且可从其相关联源极/漏极区延伸到所述栅极下方的终端鳍片位置。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594561A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311044689.3
(22)申请日2023.08.18
(30)优先权数据
17/891,5232022
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