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本发明的半导体装置具备：半导体衬底；电容器，设置在半导体衬底的上方，具有在与半导体衬底的表面交叉的第1方向延伸的第1电极，及与第1电极对向的第2电极；第1导电层，设置在电容器的上方，在与第1方向交叉的第2方向延伸；半导体层，在第1方向贯通第1导电层而设置；第1导电体，设置在第1导电层之上或之下，电连接在第1导电层；第1绝缘膜，设置在第1导电层与半导体层之间；及第2导电层，在第2方向延伸，经由第1导电体电连接在第1导电层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117596869A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310986957.7
(22)申请日2023.08.07
(30)优先权数据
2022-128883202
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