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本发明提供晶片的加工方法,在等离子蚀刻中能够提高加工品质。晶片的加工方法包含如下的步骤:第1加工槽形成步骤,从晶片的正面沿着分割预定线照射激光光线而在功能层上形成第1加工槽;掩模用保护膜形成步骤,在实施了第1加工槽形成步骤之后形成将晶片的正面包覆并且填充至第1加工槽内的保护膜;第2加工槽形成步骤,在实施了掩模用保护膜形成步骤之后,沿着第1加工槽照射激光光线而形成宽度比第1加工槽小的第2加工槽,使基板沿着第2加工槽露出;以及等离子蚀刻步骤,在实施了第2加工槽形成步骤之后,将保护膜作为掩模而沿着第2
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594529A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310974559.3B23K101/36(2006.01)
(22)申请日2023.08
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