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一种改善注入晶圆翘曲的方法和压电单晶薄膜及其制备方法.pdfVIP

一种改善注入晶圆翘曲的方法和压电单晶薄膜及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种改善注入晶圆翘曲的方法和压电单晶薄膜及其制备方法，包括将压电晶圆依次与第一支撑衬底和第二支撑衬底进行两次晶圆键合，得到具有刚性的复合键合结构，抑制所述压电晶圆在离子注入过程中产生的热应力。采用本发明的技术方案，通过将压电晶圆预先与支撑衬底进行键合，获得刚性键合结构，可以有效地抑制压电晶圆发生不均匀的热膨胀，极大地改善了在离子注入过程中导致的晶圆翘曲问题，提高压电单晶薄膜的成品率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117597008A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202410078589.0

    (22)申请日2024.01.19

    (71)申请人苏州达波新材科技有限公司

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