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第六章金属及合金的塑性变形与断裂6.2节单晶体的塑性变形-滑移
位错滑移滑移面上的原子也不是一齐移动,而是位错中心的原子逐一递进,由一个平衡位置转移到另一个平衡位置。滑移的位错机制位错移动一个原子间距,但位错中心附近原子只作远小于一个原子间距的弹性偏移,而晶体其他区域原子仍处于平衡位置。正刃型位错
位错的攀移在热缺陷或者外力作用下,位错线在垂直其滑移面方向上的运动,结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。攀移的实质是多余半原子面的伸长或者缩短。由于螺位错没有多余的半原子面,故无攀移运动。
正攀移
负攀移
在晶体塑性变形过程中,有大量的位错滑移出晶体表面而消失,晶体中位错数量按理将是越来越少,但是实际情况是位错数量不仅没有减少,反而大大增加了,那这增加的位错是怎么来的,又为什么会增加呢?这就跟位错的增殖有关了。
弗兰克-瑞德位错源机制
位错的交割两刃型位错的交割
ABb1b2CD
ABCDb1b2PP’
刃型位错与螺旋位错的交割
ABCDb1b2
ABb1CDb2PP’Q’Q
两螺型位错的交割
ABb1CDb2
ABb1CDb2
位错的塞积在大量位错沿滑移面的运动过程中,如遇到障碍物的阻碍,领先的位错在障碍前被阻止,后续的位错被堵塞起来,形成位错的平面塞积群,并在障碍物前端形成高度应力集中。位错的平面塞积位错源障碍障碍ττ
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