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一种集成电路结构包括:包括碳、氧或氢中的至少一种以及硅的第一层以及位于第一层上方并且包括多个晶体管的器件层。第一互连结构位于所述器件层上方并且包括第一导电互连特征。第二互连结构位于所述第一层下方并且包括第二导电互连特征。在示例中,所述第二导电互连特征中的一个或多个穿过所述第一层的底表面。一个或多个第三导电互连特征垂直穿过所述器件层延伸至所述第一层的顶表面。在示例中,所述一个或多个第三导电互连特征与所述第二导电互连特征中的穿过所述第一层的底表面的相应一个或多个第二导电互连特征接触。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117581360A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202280045708.1(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
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