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本发明提供一种具备双栅极结构的IGBT芯片及其制备方法,涉及半导体器件制造技术领域。IGBT芯片包括基本结构部分,基本结构部分上设有双栅极结构部分,双栅极结构部分上方设有绝缘层部分和金属层部分;双栅极结构部分由平面栅部分和沟槽栅部分结合而成。制备方法包括步骤S1:形成基本结构部分;步骤S2:在基本结构部分上形成双栅极结构部分;步骤S3:在双栅极结构部分的上方形成绝缘层部分和金属层部分。本发明使得IGBT芯片的平面栅结构和沟槽栅结构相结合,从而实现平面栅结构IGBT芯片和沟槽栅结构IGBT芯片的相
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577677A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202410061217.7
(22)申请日2024.01.16
(71)申请人淄博美林电子有限公司
地址25
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