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本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法,制备方法包括:在衬底上形成n型重掺杂GaN层;在n型重掺杂GaN层上形成n型轻掺杂的GaN漂移层;在GaN漂移层中定义器件凸台区,并在GaN漂移层中刻蚀出自器件凸台区朝两侧下沉的倾斜台面;在器件凸台区和倾斜台面上形成非晶氧化镓层:在器件凸台区上的非晶氧化镓层中形成显露GaN漂移层的阳极开孔;在衬底背面制备阴极;在器件凸台区的非晶氧化镓层上和阳极开孔中制备阳极。本发明的氮化镓肖特基二极管具有较稳定的开启电压,同时可以缓解阳极周围的电场集中,提高器件的击
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577526A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311577112.9
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人东莞市中镓半导体科技有限公司
地址
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