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漏极
结构示意图
栅极
源极
结构示意图
N沟道JFET的剖面图
工作原理（以N沟道JFET为例）
①vGS对沟道的控制作用
当vGS＜0时I
G
PN结反偏→耗尽层加厚→沟道变窄
vGS继续减小，沟道继续变窄
当沟道夹断时，对应的栅源电压
v称为夹断电压V（或V）IG
GSPGS(off)
对于N沟道的JFET，V<0
P
工作原理（以N沟道JFET为例）
②vDS对沟道的影响
当vGS=0时，vDS↑→iD↑
vDG增加，使靠近漏极处的
耗尽层加宽，沟道变窄，
从上至下呈楔形分布
工作原理（以N沟道JFET为例）
②vDS对沟道的影响
当v增加到使v=V时，
DSGDP
在紧靠漏极处出现预夹断
此时vDS↑→夹断区延长→沟道电阻↑→iD基本不变
工作原理（以N沟道JFET为例）
③vGS和vDS同时作用时
当V<v<0时，导电沟道更容易夹断，
PGS
对于同样的vDS，iD的值比vGS=0时的值要小。
综上分析可知
•沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，
所以场效应管也称为单极型管。
•JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因
此iG≈0，输入电阻很高。
•JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。
•预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，
i趋于饱和。
D
输出特性iDf(vDS)vGSconst.(V≤v≤0)
PGS
转移特性iDf(vGS)vDSconst.
vGS2
iDIDSS(1−)
V
P
JFET小信号模型
静态工作点分析
分压式偏置电路，即典型的Q点稳定电路
aV
IDQIDSS(1−GSQ)2
V
P
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